射频电源半导体和等离子薄膜工艺设备性能进一步提升
发布时间:2021/7/9 20:18:47 访问次数:441
先进的高精度电源转换、测量和控制系统等解决方案，这方面的技术更一直领先全球。
全新的 Paramount HP 10013 射频电源。新产品推出之后，该公司旗舰产品 Paramount RF (射频) 电源系列将会有更多型号可供选择。
Advanced Energy 的等离子工艺设备电源系统适用于半导体蚀刻、介电质蚀刻、沉积、溅镀、离子植入等半导体和等离子薄膜工艺设备.
Paramount HP 10013 沿用这种在市场一直居领导地位等离子工艺电源技术,但性能则有进一步的提升.
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ATPAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
系列: ATP301
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 190 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 330 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 4 g
CW-232提供：
极低的喷溅
快速润湿性，甚至可以在锈蚀严重的表面进行焊接
残留物颜色浅
与无铅和锡铅合金兼容
与热风整平（HASL）、浸银、ENIG和OSP表面兼容
先进的高精度电源转换、测量和控制系统等解决方案，这方面的技术更一直领先全球。
全新的 Paramount HP 10013 射频电源。新产品推出之后，该公司旗舰产品 Paramount RF (射频) 电源系列将会有更多型号可供选择。
Advanced Energy 的等离子工艺设备电源系统适用于半导体蚀刻、介电质蚀刻、沉积、溅镀、离子植入等半导体和等离子薄膜工艺设备.
Paramount HP 10013 沿用这种在市场一直居领导地位等离子工艺电源技术,但性能则有进一步的提升.
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ATPAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
系列: ATP301
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 190 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 330 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 4 g
CW-232提供：
极低的喷溅
快速润湿性，甚至可以在锈蚀严重的表面进行焊接
残留物颜色浅
与无铅和锡铅合金兼容
与热风整平（HASL）、浸银、ENIG和OSP表面兼容
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