高功率TVS二极管工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性
发布时间:2021/7/13 22:22:28 访问次数:199
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
产品种类: NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: AT45DB321D
存储容量: 32 Mbit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
有源读取电流（最大值）: 15 mA
接口类型: SPI
最大时钟频率: 66 MHz
组织: 4 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
定时类型: Synchronous
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
存储类型: NOR
速度: 66 MHz
结构: Chip Erase
商标: Adesto Technologies
电源电流—最大值: 15 mA
产品类型: NOR Flash
标准: Not Supported
工厂包装数量: 90
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 540 mg
与芯片缩减设计（ chip-down design ）相比，Kria SOM 允许开发者从设计周期中更为成熟的节点入手，进而将部署时间缩短多达 9 个月。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V.
产品种类: NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: AT45DB321D
存储容量: 32 Mbit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
有源读取电流（最大值）: 15 mA
接口类型: SPI
最大时钟频率: 66 MHz
组织: 4 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
定时类型: Synchronous
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
存储类型: NOR
速度: 66 MHz
结构: Chip Erase
商标: Adesto Technologies
电源电流—最大值: 15 mA
产品类型: NOR Flash
标准: Not Supported
工厂包装数量: 90
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 540 mg
与芯片缩减设计（ chip-down design ）相比，Kria SOM 允许开发者从设计周期中更为成熟的节点入手，进而将部署时间缩短多达 9 个月。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 
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