光伏逆变器及电源板和砖式电源高端IP67级电子机箱解决方案
发布时间:2021/7/10 23:14:33 访问次数:648
Multicomp Pro的全定制高端IP67级电子机箱解决方案。用户只需通过e络盟网站上的一款独特在线工具,即可在数分钟内轻松创建出定制机箱,也就是说,通过单项配置即可完成从原型设计到全面生产的整个流程。
随着众多企业涌入物联网领域以挖掘其巨大价值,物联网市场规模呈指数级增长。
设计工程师往往是在新产品设计流程后期才会采购合适的机箱,然而这样却可能产生封装难题甚至影响产品性能。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS7824
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-28
分辨率: 12 bit
通道数量: 4 Channel
接口类型: Parallel, SPI
采样比: 40 kS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 4.75 V to 5.25 V
数字电源电压: 4.75 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 73 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
特点: Internal Reference
高度: 2.35 mm
长度: 18 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 50 mW
宽度: 7.52 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External, Internal
DNL - 微分非线性: +/- 1 LSB
INL - 积分非线性: +/- 1 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5 V
Pd-功率耗散: 50 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 73 dB
工厂包装数量: 20
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 730.800 mg
RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET,提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相(INB)和同相(IN)输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。
GaN Systems 650V GaN半桥评估板可与GaN Systems主板一起使用,以简化设置和即插即用操作。
功能包括在2 MHz fSW时的集成VGS调节和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可调阈值的可编程过流保护以及差分电流检测以及可编程的源电流,用于可调的开启压摆率(0.3A,0.75A,或2A)。
这些产品包括牵引逆变器,工业电动机,储能系统,光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
Multicomp Pro的全定制高端IP67级电子机箱解决方案。用户只需通过e络盟网站上的一款独特在线工具,即可在数分钟内轻松创建出定制机箱,也就是说,通过单项配置即可完成从原型设计到全面生产的整个流程。
随着众多企业涌入物联网领域以挖掘其巨大价值,物联网市场规模呈指数级增长。
设计工程师往往是在新产品设计流程后期才会采购合适的机箱,然而这样却可能产生封装难题甚至影响产品性能。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
RoHS: 详细信息
系列: ADS7824
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-28
分辨率: 12 bit
通道数量: 4 Channel
接口类型: Parallel, SPI
采样比: 40 kS/s
输入类型: Single-Ended
结构: SAR
模拟电源电压: 4.75 V to 5.25 V
数字电源电压: 4.75 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 73 dB
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
特点: Internal Reference
高度: 2.35 mm
长度: 18 mm
转换器数量: 1 Converter
功耗: 50 mW
宽度: 7.52 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External, Internal
DNL - 微分非线性: +/- 1 LSB
INL - 积分非线性: +/- 1 LSB
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5 V
Pd-功率耗散: 50 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 73 dB
工厂包装数量: 20
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 730.800 mg
RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET,提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相(INB)和同相(IN)输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。
GaN Systems 650V GaN半桥评估板可与GaN Systems主板一起使用,以简化设置和即插即用操作。
功能包括在2 MHz fSW时的集成VGS调节和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可调阈值的可编程过流保护以及差分电流检测以及可编程的源电流,用于可调的开启压摆率(0.3A,0.75A,或2A)。
这些产品包括牵引逆变器,工业电动机,储能系统,光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)