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并联的扁平容芯绕卷结构设计实现硬换向的理想器件

发布时间:2021/6/30 19:56:32 访问次数:673

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 计数器移位寄存器

RoHS: 详细信息

计数器类型: Binary

计数顺序: Up

电路数量: 2

位数: 4 bit

封装 / 箱体: TSSOP-14

逻辑系列: 74VHC

逻辑类型: CMOS

输入线路数量: 1

传播延迟时间: 23.2 ns, 14.5 ns

电源电压-最大: 5.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tube

功能: Duall 4 Bit Binary Counter

系列: 74VHC393

宽度: 4.4 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

安装风格: SMD/SMT

输出线路数量: 4

工作电源电压: 2 V to 5.5 V

产品类型: Counter Shift Registers

工厂包装数量: 94

子类别: Logic ICs

单位重量: 55.300 mg

模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块,广泛适用于紧凑型铁路牵引变频器,可再生能源和工业领域的各种应用,深受广大用户青睐。

一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求降低新型变流器的设计成本。

ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。

加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 计数器移位寄存器

RoHS: 详细信息

计数器类型: Binary

计数顺序: Up

电路数量: 2

位数: 4 bit

封装 / 箱体: TSSOP-14

逻辑系列: 74VHC

逻辑类型: CMOS

输入线路数量: 1

传播延迟时间: 23.2 ns, 14.5 ns

电源电压-最大: 5.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tube

功能: Duall 4 Bit Binary Counter

系列: 74VHC393

宽度: 4.4 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

安装风格: SMD/SMT

输出线路数量: 4

工作电源电压: 2 V to 5.5 V

产品类型: Counter Shift Registers

工厂包装数量: 94

子类别: Logic ICs

单位重量: 55.300 mg

模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块,广泛适用于紧凑型铁路牵引变频器,可再生能源和工业领域的各种应用,深受广大用户青睐。

一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求降低新型变流器的设计成本。

ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。

加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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