并联的扁平容芯绕卷结构设计实现硬换向的理想器件
发布时间:2021/6/30 19:56:32 访问次数:673
集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。
较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。
此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。
由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 计数器移位寄存器
RoHS: 详细信息
计数器类型: Binary
计数顺序: Up
电路数量: 2
位数: 4 bit
封装 / 箱体: TSSOP-14
逻辑系列: 74VHC
逻辑类型: CMOS
输入线路数量: 1
传播延迟时间: 23.2 ns, 14.5 ns
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
功能: Duall 4 Bit Binary Counter
系列: 74VHC393
宽度: 4.4 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
安装风格: SMD/SMT
输出线路数量: 4
工作电源电压: 2 V to 5.5 V
产品类型: Counter Shift Registers
工厂包装数量: 94
子类别: Logic ICs
单位重量: 55.300 mg

模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块,广泛适用于紧凑型铁路牵引变频器,可再生能源和工业领域的各种应用,深受广大用户青睐。
一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求降低新型变流器的设计成本。
ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。
较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。
此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。
由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 计数器移位寄存器
RoHS: 详细信息
计数器类型: Binary
计数顺序: Up
电路数量: 2
位数: 4 bit
封装 / 箱体: TSSOP-14
逻辑系列: 74VHC
逻辑类型: CMOS
输入线路数量: 1
传播延迟时间: 23.2 ns, 14.5 ns
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tube
功能: Duall 4 Bit Binary Counter
系列: 74VHC393
宽度: 4.4 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
安装风格: SMD/SMT
输出线路数量: 4
工作电源电压: 2 V to 5.5 V
产品类型: Counter Shift Registers
工厂包装数量: 94
子类别: Logic ICs
单位重量: 55.300 mg

模块化且通用的电力电容器。该产品配合最新一代的 IGBT 模块,广泛适用于紧凑型铁路牵引变频器,可再生能源和工业领域的各种应用,深受广大用户青睐。
一般情况下就无需额外的缓冲电容器,从而能减小空间需求降低新型变流器的设计成本。
ModCap™ 采用并联的扁平容芯绕卷结构设计,并填充聚氨酯树脂。这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装,最大限度缩短了引线。
加上低至 14 nH 的超低自感,可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)