全新uMCP的DRAM性能实现精密高能效的电机控制方案

发布时间:2021/6/21 13:30:43 访问次数:458

监控电路提出了更高精度的需求，并且需要可编程电压门限和容限，以及内置自检功能，以确保其系统更加可靠。加速系统的功能安全性设计，而MAX16137正是基于这一需求推出的、业界仅有的内置BIST功能的IC，帮助工程师达到其设计目标。

与之前基于LPDDR4X的UFS2.2的解决方案相比，全新uMCP的DRAM性能提升50%以上，从17GB/s提升到25GB/s.

NAND闪存性能翻倍，从1.5GB/s提升至3GB/s，从而打造旗舰性能。

制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:HB-V 产品:Aluminum Electrolytic Capacitors 电容:22 uF 电压额定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:6.3 mm 长度:5.5 mm 高度:7.8 mm 寿命:2000 Hour 纹波电流:55 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 商标:Panasonic 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:660 mg

高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

以最高能效的方式驱动电机是简化安装、降低热量积聚、提高可靠性以及降低系统成本的关键。

TMPIM 器件将输出引脚标准化，最小化寄生元素，为设计人员提供高性能的“即插即用”方案。将 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 与 FAN9672 和 NCD57252 相结合，提供一个快速设计路径，以实现精密高能效的电机控制方案。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

与之前基于LPDDR4X的UFS2.2的解决方案相比，全新uMCP的DRAM性能提升50%以上，从17GB/s提升到25GB/s.

NAND闪存性能翻倍，从1.5GB/s提升至3GB/s，从而打造旗舰性能。

高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

以最高能效的方式驱动电机是简化安装、降低热量积聚、提高可靠性以及降低系统成本的关键。

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相关IC型号: BLM11B470SAPT; V48A12C500AL; CD74HC574M96; A178B; MCR14TR; 2N4928; CK06BX103K; RB063L-30; STP3NC60; TA2145AF

全新uMCP的DRAM性能实现精密高能效的电机控制方案

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