随着5G设备逐渐成为主流，三星的uMCP创新技术，将推动5G加速普及，并将元宇宙（Metaverse）早日带入人们的日常生活。

基于三星最新的移动DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）和NAND接口，比起上一代产品，三星uMCP能以极低的功耗，提供极快的速度和大存储容量。

这一产品组合，能让更多的消费者在中端设备上，体验众多的5G应用；而以往这些应用只能在高端旗舰机型上使用，诸如高阶摄影、图形密集型游戏和增强现实（AR）。

制造商:Cypress Semiconductor 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:16 Mbit 组织:2 M x 8/1 M x 16 访问时间:45 ns 最大时钟频率:- 接口类型:Parallel 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 电源电流—最大值:30 mA 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFBGA-48 封装:Tray 存储类型:Volatile 类型:Asynchronous 商标:Cypress Semiconductor 端口数量:1 湿度敏感性:Yes 产品类型:SRAM 工厂包装数量480 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:223.200 mg

由于该模块以优化的布局和配置进行预封装，与基于 PCB 的分立设计相比，寄生元素非常小，从而实现在 18 kHz 和 65 kHz 之间的宽 PFC 开关频率范围。 

安森美半导体还提供碳化硅 (SiC) 配置选项以进一步提高开关频率和能效。

高能效的 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 额定电流为 50 A，能在高达 8 kW 的应用中使用，是安森美半导体 TMPIM 系列的最新器件。其他器件的额定电流为 20 A 和 30 A。

密封和强固的封装包括一个集成散热片（距引脚6毫米），并提供高水平的耐腐蚀性。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）