三相逆变器使用6个集成反向二极管的50A
发布时间:2021/6/21 13:31:37 访问次数:600
新款uMCP还有助于提高智能手机的空间利用率,它将DRAM和NAND存储整合到一个只有11.5mm x 13mm的紧凑封装中,为其他功能留出更多空间。
并且,它的DRAM容量从6GB到12GB不等,存储容量从128GB到512GB不等,可以轻松定制,以适应中高端5G智能手机的不同需求。
三相逆变器使用6个集成反向二极管的50 A、600 V的IGBT,双通道交错式PFC包括两个集成反向二极管的75 A、650 V PFC IGBT,和两个50 A、650 V PFC二极管。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:100 uF 电压额定值 DC:16 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:6.3 mm 长度:5.5 mm 高度:7.8 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:70 mA 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Capacitors SMD, High Temperature 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.26 引线间隔:1.8 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:860 mg
紧凑的压铸模DIP-26封装尺寸仅73毫米x 47毫米x 8毫米--比当前的方案节省20%的面积,实现了更高的功率密度水平。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以FAN9672 PFC控制器和门极驱动器方案,包括新的NCD5700x系列器件。
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。
新款uMCP还有助于提高智能手机的空间利用率,它将DRAM和NAND存储整合到一个只有11.5mm x 13mm的紧凑封装中,为其他功能留出更多空间。
并且,它的DRAM容量从6GB到12GB不等,存储容量从128GB到512GB不等,可以轻松定制,以适应中高端5G智能手机的不同需求。
三相逆变器使用6个集成反向二极管的50 A、600 V的IGBT,双通道交错式PFC包括两个集成反向二极管的75 A、650 V PFC IGBT,和两个50 A、650 V PFC二极管。
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:S-V High 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:100 uF 电压额定值 DC:16 VDC 容差:20 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 直径:6.3 mm 长度:5.5 mm 高度:7.8 mm 寿命:1000 Hour 纹波电流:70 mA 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Capacitors SMD, High Temperature 商标:Panasonic 漏泄电流:3 uA 损耗因数 DF:0.26 引线间隔:1.8 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:1000 子类别:Capacitors 单位重量:860 mg
紧凑的压铸模DIP-26封装尺寸仅73毫米x 47毫米x 8毫米--比当前的方案节省20%的面积,实现了更高的功率密度水平。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以FAN9672 PFC控制器和门极驱动器方案,包括新的NCD5700x系列器件。
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。