典型CMTI为±75 kV/μs的雷达电压和低ESR进行定制
发布时间:2021/6/19 8:00:17 访问次数:718
KO-CAP®高可靠性系列T540、T541和T543均可实现TSP系列中的堆叠配置。这些电容器经过堆叠后,使设计工程师可以对电容、电压和低ESR(等效串联电阻)进行定制。
这项功能使TSP系列非常适合于使用氮化镓(GaN)半导体技术的设备,包括基于有源电子扫描阵列(AESA)系统的雷达应用。
TSP系列还提供了改善的降额条件和更大的电容,以便确保在典型电压水平下的低故障率,以及在使用堆叠配置T540和T541系列时的多种故障率方案。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 电池管理
RoHS: 详细信息
产品: Charge Management
电池类型: Li-Ion, Li-Polymer, NiCd, NiMH
输出电压: Adjustable
输出电流: 2 A
工作电源电压: 4 V to 6 V
封装 / 箱体: PDIP-8
安装风格: Through Hole
系列: BQ2000
封装: Tube
高度: 4.57 mm
长度: 9.81 mm
类型: Fast Charge Management
宽度: 6.35 mm
商标: Texas Instruments
最大工作温度: + 70 C
最小工作温度: - 20 C
工作电源电流: 0.5 mA
产品类型: Battery Management
工厂包装数量: 50
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 440.400 mg
ISO6720-Q1器件在同一方向有两路,而ISO6721-Q1有两个隔离通路,一路在每个方向.
在输入电源或信号丢失时,默认输出是高电平(无后缀F器件),默认输出是低电平(带后缀F器件).器件的数据速率为50Mbps,隔离层在1060 VRMS工作电压首有高寿命,高达5000 VRMS隔离指标,典型CMTI为±75 kV/μs,电源电压为1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.
具有1.71V到5.5V的电平转移.1Mbps时每路的电流为1.8mA,传输时延为11ns,器件工作温度–40C 到 +125C,满足AEC-Q100规范和VDA320隔离要求.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
KO-CAP®高可靠性系列T540、T541和T543均可实现TSP系列中的堆叠配置。这些电容器经过堆叠后,使设计工程师可以对电容、电压和低ESR(等效串联电阻)进行定制。
这项功能使TSP系列非常适合于使用氮化镓(GaN)半导体技术的设备,包括基于有源电子扫描阵列(AESA)系统的雷达应用。
TSP系列还提供了改善的降额条件和更大的电容,以便确保在典型电压水平下的低故障率,以及在使用堆叠配置T540和T541系列时的多种故障率方案。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 电池管理
RoHS: 详细信息
产品: Charge Management
电池类型: Li-Ion, Li-Polymer, NiCd, NiMH
输出电压: Adjustable
输出电流: 2 A
工作电源电压: 4 V to 6 V
封装 / 箱体: PDIP-8
安装风格: Through Hole
系列: BQ2000
封装: Tube
高度: 4.57 mm
长度: 9.81 mm
类型: Fast Charge Management
宽度: 6.35 mm
商标: Texas Instruments
最大工作温度: + 70 C
最小工作温度: - 20 C
工作电源电流: 0.5 mA
产品类型: Battery Management
工厂包装数量: 50
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 440.400 mg
ISO6720-Q1器件在同一方向有两路,而ISO6721-Q1有两个隔离通路,一路在每个方向.
在输入电源或信号丢失时,默认输出是高电平(无后缀F器件),默认输出是低电平(带后缀F器件).器件的数据速率为50Mbps,隔离层在1060 VRMS工作电压首有高寿命,高达5000 VRMS隔离指标,典型CMTI为±75 kV/μs,电源电压为1,71V到1.89V和2.25V到5.5V.
具有1.71V到5.5V的电平转移.1Mbps时每路的电流为1.8mA,传输时延为11ns,器件工作温度–40C 到 +125C,满足AEC-Q100规范和VDA320隔离要求.

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