内存集成的方式实现多种保护功能满足SiC MOSFET开关管
发布时间:2021/5/17 22:48:20 访问次数:207
STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。
如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。
制造商:Texas Instruments 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Precision References 输出电压:2.5 V 初始准确度:3 % 温度系数:150 PPM/C 分流电流—最大值:20 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 准确性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 分流电流—最小值:20 uA 拓扑结构:Shunt References 负载调节:20 mV 产品类型:Voltage References 2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:143 mg
SM6751Q电源管理 IC，适用于汽车液晶显示器。新IC 不仅有效、分配及控制从汽车电池流入到车辆屏幕的电源，满足车辆内部屏幕或相关系统的各种电源需求，还符合国际汽车 IC测试评估认证 AEC-Q100。
SM6751Q的主要优势为：支持2.4到6V输入范围；搭载高效Step-up Regulator和 LDO Regulator.
具有I2C-Programmable VCOM 校准器; 并以内存集成的方式实现多种保护功能包括检测发热、高压、高电流等。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。
如果电源电压低引起驱动电压太低，UVLO保护机制将确保MOSFET处于关断状态，以免产生过多的耗散功率。
制造商:Texas Instruments 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Precision References 输出电压:2.5 V 初始准确度:3 % 温度系数:150 PPM/C 分流电流—最大值:20 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 准确性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 分流电流—最小值:20 uA 拓扑结构:Shunt References 负载调节:20 mV 产品类型:Voltage References 2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:143 mg
SM6751Q电源管理 IC，适用于汽车液晶显示器。新IC 不仅有效、分配及控制从汽车电池流入到车辆屏幕的电源，满足车辆内部屏幕或相关系统的各种电源需求，还符合国际汽车 IC测试评估认证 AEC-Q100。
SM6751Q的主要优势为：支持2.4到6V输入范围；搭载高效Step-up Regulator和 LDO Regulator.
具有I2C-Programmable VCOM 校准器; 并以内存集成的方式实现多种保护功能包括检测发热、高压、高电流等。
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