ILD8150是80V DC/DC降压转换器,用于驱动大功率LED.

对于接近SELV极限的应用,ILD8150提供了高安全电压富余度.降压LED驱动器特别设计用于通用照明应用的LED,采用高边集成开关其平均电流可高达1.5A.

器件集成了80V低RON的高边MOSFET,混合调光率0.5%目标电流.工作电压宽,为8V到80V,逐个周期的电流限制.器件具有欠压锁住,热保护等特性.

器件可以无闪烁工作,数字软起动,集成下拉晶体管以避免LED发出暗淡的光.主要用在电子控制装置(ECG)的LED照明.

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:35 mA Rds On-漏源导通电阻:80 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V Qg-栅极电荷:- 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:350 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:1 P-Channel 类型:FET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:25 mS 下降时间:16 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8 ns 3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:8 ns 典型接通延迟时间:8 ns 单位重量:8 mg

SiT8008低功耗MEMS振荡器现在可以在1.62V至3.63V的任何电压下工作。

通过此功能以及诸如频率和驱动强度可编程性之类的其他可编程功能，SiT8008提供了数百万种可能的配置。

工厂自动化，地震感应和数据采集等工业和医疗应用都在单个系统中使用许多时钟源。他们可以从SiT8008的可编程功能中受益匪浅。SiTime已与Digi-Key合作，以确保SiT8008的供货周期短。

Digi-Key很高兴通过SiTime定制的MEMS定时解决方案为我们的客户提供附加价值。

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