SQJA81EP简化栅极驱动设计无需配置n沟道器件的电荷泵
发布时间:2021/5/10 21:10:52 访问次数:320
集成式有源EMI滤波器有助于检测并降低150 kHz至10 MHz低频频带上的传导EMI，从而使工程师能够将EMI减少高达50 dBμV（在440 kHz的开关频率下，相对于禁用AEF的设计）或20 dBμV（相对于采用典型无源滤波器的设计）。
在这两种设计方案中，DRSS技术都有助于在低频和高频频带上将EMI进一步降低5 dBμV。
为了进一步降低EMI，这两款降压控制器的工作频率均与外部时钟同步，从而帮助工程师在EMI敏感型应用中降低不良拍频。
MOSFET提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省PCB空间。此外，作为p沟道器件，SQJA81EP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。
MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
器件可在+175 °C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
集成式有源EMI滤波器有助于检测并降低150 kHz至10 MHz低频频带上的传导EMI，从而使工程师能够将EMI减少高达50 dBμV（在440 kHz的开关频率下，相对于禁用AEF的设计）或20 dBμV（相对于采用典型无源滤波器的设计）。
在这两种设计方案中，DRSS技术都有助于在低频和高频频带上将EMI进一步降低5 dBμV。
为了进一步降低EMI，这两款降压控制器的工作频率均与外部时钟同步，从而帮助工程师在EMI敏感型应用中降低不良拍频。
MOSFET提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省PCB空间。此外，作为p沟道器件，SQJA81EP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。
MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
器件可在+175 °C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。
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