64MHz频率运行则可实现73CoreMarks/mA的高效能耗
发布时间:2021/5/7 23:27:31 访问次数:440
在128MHz设置下，可实现高达514CoreMark；以64MHz频率运行则可实现73 CoreMarks/mA的高效能耗。通过集成ArmTrustZone®提供高级别的安全性，可以区分单个处理器内核上的安全区域和非安全区域，从而为受信任的软件提供系统范围内的硬件隔离。
当主要的OEM向Littelfuse提出他们在安装拧紧过程中遇到的挑战时，我们立即致力于帮助他们找到解决方案。新的60安培保险丝盒是用六角螺丝设计的系列产品的一部分，该应用需要精确且可重复以提高制造效率并生产高质量的产品。
制造商:Texas Instruments产品种类:时钟合成器/抖动清除器RoHS: 系列:最大输出频率:3760 MHz电源电压-最大:3.45 V电源电压-最小:3.15 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WQFN-32封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel特点:Integrated VCO , Integrated VCO, Wideband商标:Texas Instruments开发套件:LMX2581EVAL/NOPB湿度敏感性:Yes工作电源电流:135 mA工作电源电压:3.15 V to 3.45 V产品类型:Clock Synthesizers / Jitter Cleaners1000子类别:Clock & Timer ICs单位重量:58.500 mg
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在128MHz设置下，可实现高达514CoreMark；以64MHz频率运行则可实现73 CoreMarks/mA的高效能耗。通过集成ArmTrustZone®提供高级别的安全性，可以区分单个处理器内核上的安全区域和非安全区域，从而为受信任的软件提供系统范围内的硬件隔离。
当主要的OEM向Littelfuse提出他们在安装拧紧过程中遇到的挑战时，我们立即致力于帮助他们找到解决方案。新的60安培保险丝盒是用六角螺丝设计的系列产品的一部分，该应用需要精确且可重复以提高制造效率并生产高质量的产品。
制造商:Texas Instruments产品种类:时钟合成器/抖动清除器RoHS: 系列:最大输出频率:3760 MHz电源电压-最大:3.45 V电源电压-最小:3.15 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WQFN-32封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel特点:Integrated VCO , Integrated VCO, Wideband商标:Texas Instruments开发套件:LMX2581EVAL/NOPB湿度敏感性:Yes工作电源电流:135 mA工作电源电压:3.15 V to 3.45 V产品类型:Clock Synthesizers / Jitter Cleaners1000子类别:Clock & Timer ICs单位重量:58.500 mg
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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