“S-5701 B系列”是一种TMR传感器IC。

与各向异性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)传感器IC等其他MR传感器IC不同，它具有高灵敏度和超低电流消耗(160nA)的 特点，使其成为一款解决传统磁簧开关局限性的创新产品。

ABLIC为用于检测水平磁场的“小巧、智能、简单”的产品系列增加了一种新的“S-5701 B系列”TMR传感器IC产品，可以提供给寻求磁簧开关替代品的客户，以进一步扩大我们的客户群。

S-5701 B系列的主要特点使用3.3V电源电压时，IC的平均电流消耗为160nA.

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

87A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.3 毫欧 @ 44A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.6V @ 107μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

139W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-7

新一代nvSRAM扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。

我们nvSRAM系列中新增的这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合。

在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）