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两个对称的0.1mΩ-3.0mΩ的超低阻值宽带隙GaN功率半导体

发布时间:2021/5/9 22:30:02 访问次数:204

大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列,通过施以引脚温度降额,将额定功率的保证值扩展至最大15W,并且还改善了电阻温度系数的规格值。

“PSR系列”拥有从0.1mΩ~3.0mΩ的超低阻值阵容,与“GMR系列”同为小型封装,都支持大功率和高精度检测,有助于汽车和工业设备实现小型化。

新产品“GMR320”已于2021年2月开始量产(300日元/个,不含税)。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 配置:Dual Series 技术:Si If - 正向电流:200 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:1 V Ifsm - 正向浪涌电流:0.6 A Ir - 反向电流 :2 uA at 25 V 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1 mm 长度:2.2 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Schottky Diode 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg

MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V,可以直接连接到控制器,例如,霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

大功率分流电阻器获得高度好评的“PSR系列,通过施以引脚温度降额,将额定功率的保证值扩展至最大15W,并且还改善了电阻温度系数的规格值。

“PSR系列”拥有从0.1mΩ~3.0mΩ的超低阻值阵容,与“GMR系列”同为小型封装,都支持大功率和高精度检测,有助于汽车和工业设备实现小型化。

新产品“GMR320”已于2021年2月开始量产(300日元/个,不含税)。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-3 配置:Dual Series 技术:Si If - 正向电流:200 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:1 V Ifsm - 正向浪涌电流:0.6 A Ir - 反向电流 :2 uA at 25 V 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1 mm 长度:2.2 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Schottky Diode 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg

MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。

MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V,可以直接连接到控制器,例如,霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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