GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑,有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LFPAK56-5 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:80 V Id-连续漏极电流:37 A Rds On-漏源导通电阻:22.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 15 V, + 15 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V Qg-栅极电荷:17.1 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:95 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 N-Channel 商标:Nexperia 下降时间:15.3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:17.2 ns 工厂包装数量1500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:23.9 ns 典型接通延迟时间:11.6 ns 零件号别名:934067031115 单位重量:75 mg

ROHM新开发出大功率、低阻值的分流电阻器“GMR320”。

通过扩展大功率、超低阻值分流电阻器“PSR系列”的额定功率保证值，使产品阵容涵盖了最高达15W的大功率范围。

这两个系列均符合无源元器件的汽车电子产品可靠性标准AEC-Q200※2，并且均支持在最高170℃的工作温度下使用，因此即使在引擎周围等温度条件格外严苛的车载应用中，也具有非常高的可靠性。

采用散热性能出色的结构，表面温升比普通产品低23％.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）