Yole Development的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用需求一直推动着结温的升高，目前已达到150℃。

第三代宽禁带半导体器件（如SiC）已走过了从出现发展到已日趋成熟并全面商业化普及的路径，其独特的耐高温性能正在推动结温加速从目前的150℃迈向175℃，未来将进军200℃。

采用针翅基板（Pin Fin Baseplate）的新型液冷IPM功率模块（CXT－PLA3SA450AA），此次我们还推出了具有更高电流能力的针翅基板，以及液冷IPM功率模块（CXT－PLA3SA550CA）.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 28 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 17 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1

单位重量: 100 mg

器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.

主要用在宽带系统包括无线基础设备数字和扩频通信系统, WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/卫星地面调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动增益控制(ALC),发送器增益控制,接收器增益控制和通用测试设备.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）