新型射频负载可用于端接同轴线缆、多重耦合设备等应用。可选包括1瓦或2瓦负载、SMA和N型连接器和公/母接口。

可配置的测试报告记录了测试结果。R&S ScopeSuite作为一个独立的应用程序，可以在示波器或单独的PC上运行。

射频衰减器和射频负载，补充了之前有的3 GHz和6 GHz衰减器和终端产品线，为客户提供更完整的连接解决方案。

包装卷带（TR）FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250μA（最小）Vgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.6W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18nC @ 4.5V

TDK客户可以将高性能工业IMU系列与InvenSenseCoursaDrive软件相结合，以最低的开发成本和资源，提供可用于市场的惯性导航系统（INS）。

CoursaDrive可以实时向AV系统提供高达100Hz的位置和方向数据，以对GNSS和感知系统的低速率位置参考进行补充。为了提高系统的容错能力，在GNSS或感知系统不确定或不可用的短时间内，CoursaDrive可以提供分米级位置精度。

IIM-46234和IIM-46230产品现在已面向部分早期合作伙伴和客户提供。

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