亚GHz无线电工作,发送功率高达14dBm,其高性能接收器在100 kbit/s GFSK.

在高效USB PD 3.0 + PPS/QC适配器,包括QuickCharge, AFC, FCP, SCP的多协议适配器,直接电荷移动设备充电器,多种化学工具和通用电池充电器以及可调CV和CC LED镇流器.

器件具有EcoSmart™能源效率,无负载功耗小于30mW(包含线路测量和MCU),以及低散热.

器件具有24.33 Gbps JESD204B/JESD204C数字接口,支持TDD和FDD应用. ADRV9029采用14mmx14mm 289凸的CSP_BGA封装.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PG-TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    100 V    

Id-连续漏极电流:    60 A    

Rds On-漏源导通电阻:    9.8 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.2 V    

Qg-栅极电荷:    22 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   28 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   5 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   17 ns  

典型接通延迟时间:   10 ns  

零件号别名:  SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1  

单位重量:  100 mg  

器件支持120kHz到1MHz的开关频率,控制器具有专用的欠压锁住引脚(UVLO)和精确的使能输入阈值,以便灵活进行加电顺序配置.

MAX15157B具有可调整内部补偿斜率,器件采用精确的电流检测放大器,通过模拟输出(IMON)报告输出电流.器件允许单相或多相(多达四相)操作.

器件输入电压从8V到60V,输出电压从3V到56V,采用5mmx5mm 32引脚TQFN封装,工作温度-40C 到 +125C.主要用在通信,工业和汽车电子.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）