开关频率通过外接电阻设定振荡器频率控制或和时钟同步

发布时间:2023/6/24 17:13:11 访问次数:82

InnoSwitch™3-Pro系列是数字控制离线CV/CC QR反激开关器,集成了高压开关,同步整流和FluxLink反馈,极大简化了全可编高效电源特别是用在紧凑空间的电源的开发和制造.

器件通过I2C接口具有数控制的动态调整电源电压和电流,远程电源状态和故障监测,全套的可配置的保护特性,采用PowiGaN™技术无需散热器可达高达100W功率(INN3378C,INN3379C和INN3370C).

器件具有增强的绝缘性能,绝缘电压大于4000VAC,100%产品HIPOT兼容测试,具有UL1577和TUV(EN60950和EN62368)安全认证.

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 63 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

单位重量: 300 mg

100 MHz带宽和2.0 GSPS编码的SNR为66 dBFS,SFDR为60dBc,15.625 MHz带宽和2.0 GSPS编码的SNR为82 dBFS, SFDR为80dBc.

控制器具有多种故障保护电路以防止过流(OCP),输出过压(OVP),输入UVLO和热关断.

取样2.0GSPS时每路的功耗为90mW,通路间串扰为90dB.器件工作温度−40C到+85C.主要用在毫米波成像,电子束成形和相阵列,多路宽带接收器和电子支持测量.

开关频率可通过外接电阻设定内部振荡器频率来控制或和外部时钟同步来调整.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）