ISL73141SEH是抗辐射加固的高精度14位1MSPS SAR 模数转换器(ADC),它的SNR为82.1dBFS,5V工作电压时的功耗仅为60mW.3.3V电源时,ISL73141SEH工作750ksps时的功耗仅为28mW.

器件具有1Msps的吞吐量,没有数据等待,有极好的线性度和动态精确度.

ISL73141SEH提供高速SPI兼容的串行接口,支持逻辑范围从2.2V到3.6V,采用分离的数字I/O电源引脚.器件还提供单独的降功耗引脚,把功耗降低到小于50μW.

模拟输入信号范围由外接基准电压来确定.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 53 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP000416636 BSC19N15NS3GXT BSC190N15NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

利用AS585xB的柔性电路设计，图像设备可由内部数据采集系统和基于AS585xB读取IC（采购自第三方FPD制造商）的探测器组装，从而简化生产。

主要用在AC和无刷DC马达驱动,高压DC/DC转换器和DC/AC逆变器,电感加热谐振应用,UPS系统,焊接和太阳能.

AS5850B优化后的线扫描时间为20μs，但可以在低至15μs的速度下运行，这种高速度性能可提高自动化光学检测设备的吞吐量。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）