通用独立参考无扩频(SRNS)及独立参考扩频(SRIS)与双主机连接
发布时间:2021/4/29 21:53:27 访问次数:1811
PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。
可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
切换器中嵌入了多个直接内存访问 (DMA) 通道，尽量提高单一主机 (或多部主机) 与相连的端点之间通讯作业效率。
漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:170 mA Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV Qg-栅极电荷:2.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 类型:FET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:0.8 S 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:17 ns 典型接通延迟时间:1.7 ns 零件号别名:BSS123_NL 单位重量:30 mg
检测到发热后，当达到通常温度时会自动恢复原来的电阻值，能反复使用。
在室温（25℃）下电阻值为540Ω，在检测温度115℃下电阻值为4.7kΩ。Arm®的SAMRH71微处理器（MPU）获得认证，SAMRH707单片机（MCU）。
这两款产品均采用了基于Arm Cortex®-M7的片上系统（SoC）抗辐射技术。
Microchip 的 SAMRH71 和 SAMRH707 器件在欧洲航天局（ESA）和法国航天局国家空间研究（CNES）的支持下开发，用于进一步开展研究和航天任务。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PI7C9X3G808GP 藉由这项 CDEP 功能支持扇出与双主机连接。
内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。
可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
切换器中嵌入了多个直接内存访问 (DMA) 通道，尽量提高单一主机 (或多部主机) 与相连的端点之间通讯作业效率。
漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:170 mA Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV Qg-栅极电荷:2.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 类型:FET 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:0.8 S 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:17 ns 典型接通延迟时间:1.7 ns 零件号别名:BSS123_NL 单位重量:30 mg
检测到发热后，当达到通常温度时会自动恢复原来的电阻值，能反复使用。
在室温（25℃）下电阻值为540Ω，在检测温度115℃下电阻值为4.7kΩ。Arm®的SAMRH71微处理器（MPU）获得认证，SAMRH707单片机（MCU）。
这两款产品均采用了基于Arm Cortex®-M7的片上系统（SoC）抗辐射技术。
Microchip 的 SAMRH71 和 SAMRH707 器件在欧洲航天局（ESA）和法国航天局国家空间研究（CNES）的支持下开发，用于进一步开展研究和航天任务。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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