1EDI20I12AH(1EDIxxI12AH和1EDIxxH12AH)是通用IGBT栅极驱动器,基本控制和保护特性支持高度可靠系统的快速和容易设计.

控制输入逻辑和驱动输出级间集成电流隔离大大增强了安全性.宽输入电压源支持各种信号源如DSP和器件适用于600V/650V/1200V IGBT和MOSFET,轨到轨输出时高达10A峰值电流,可分离的源和沉输出,无铁芯变压器驱动器电流隔离,宽输入电压工作范围,适合于工作在高环境温度.

器件集成功率管理模块和DC/DC转换器与LDO,从而降低了外接电源的复杂性和简化了加电次序.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 23 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 53 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: BSC190N15NS3 G SP000416636

单位重量: 100 mg

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AS5852B在低功耗运行方面进行了优化，使电池供电的便携式成像设备能够在延长电池使用时间的同时获取高质量的影像。

而新型AS5851B则在功率和速度的优化之间实现了平衡。

AS585xB系列的所有三个版本都采用相同的尺寸和引脚分配，因此FPD制造商可以通过单一电路板设计和主机系统接口轻松地构建出一系列产品，以满足不同客户或细分市场的需求。

艾迈斯半导体可以根据客户的具体需求提供具有相应柔性设计的AS585x系列读出IC。

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