AT25EU系列SPI NOR Flash器件，助力注重功耗、尺寸受限的联网设备开发。AT25EU系列专注于实现最低的功耗和最快的运行速度，从而实现最低的能耗。

与现有的SPI NOR Flash解决方案相比，AT25EU系列最大的差异化特性是在不影响性能的前提下实现了更低的总能耗。

实现更快、功耗更低的擦除操作，可以提升设备的软件无线更新（OTA）、事件跟踪、数据记录活动等功能的效率。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 67 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 26 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 37 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: BSC067N06LS3 G SP000451084

单位重量: 190 mg

5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.主要用在EV的牵引逆变器,车载充电器和DC充电站,HVAC,加热器和工业马达控制驱动.

33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封装, ADAQ8088在高密度多路系统中最大限度降低了空间需求.

新型AS585xB产品与X射线影像设备中的标准连接器兼容，组装起来更简便；平板探测仪制造商可以从三种产品选项中，选择更快、更低功耗的读出IC；

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）