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RK2108D依靠高达400MHz主频的M4F高级密钥管理功能

发布时间:2021/4/20 8:21:32 访问次数:925

安全加密引擎提供对称与非对称的加密/解密、哈希函数、真随机数发生器(TRNG)和高级密钥管理功能,包括密钥生成功能和MCU硬件相关的唯一密钥封装功能。

如未遵循正确的访问协议,访问管理电路将关闭加密引擎,内置专用RAM可确保明文密钥永远不会暴露于任何CPU或外设总线。

瑞萨RA产品家族所获的认证很好证明了安全标准与行业息息相关。OEM厂商越来越意识到认证设备作为有效风险管控工具并与多种设备认证保持一致的价值所在。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S, 70 S

下降时间: 2.4 ns, 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.4 ns, 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 1.8 ns, 5 ns

零件号别名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

单位重量: 101.600 mg

芯片RK2108D,采用28nm工艺设计,双核架构,具备高主频、大内存、低功耗的特点。

针对智能穿戴产品在功耗、响应速度、语音识别及操作系统适配的产品需求上,瑞芯微RK2108D方案实现了显著有效的技术优化。

同时经实测,在深度待机模式下,芯片功耗为0。

从深度待机到唤醒亮屏,其他方案通常需要约300-600ms,RK2108D依靠高达400MHz主频的M4F,仅需约200ms,用时缩短约30%,提供更流畅便捷的用户体验。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

安全加密引擎提供对称与非对称的加密/解密、哈希函数、真随机数发生器(TRNG)和高级密钥管理功能,包括密钥生成功能和MCU硬件相关的唯一密钥封装功能。

如未遵循正确的访问协议,访问管理电路将关闭加密引擎,内置专用RAM可确保明文密钥永远不会暴露于任何CPU或外设总线。

瑞萨RA产品家族所获的认证很好证明了安全标准与行业息息相关。OEM厂商越来越意识到认证设备作为有效风险管控工具并与多种设备认证保持一致的价值所在。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S, 70 S

下降时间: 2.4 ns, 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.4 ns, 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 1.8 ns, 5 ns

零件号别名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

单位重量: 101.600 mg

芯片RK2108D,采用28nm工艺设计,双核架构,具备高主频、大内存、低功耗的特点。

针对智能穿戴产品在功耗、响应速度、语音识别及操作系统适配的产品需求上,瑞芯微RK2108D方案实现了显著有效的技术优化。

同时经实测,在深度待机模式下,芯片功耗为0。

从深度待机到唤醒亮屏,其他方案通常需要约300-600ms,RK2108D依靠高达400MHz主频的M4F,仅需约200ms,用时缩短约30%,提供更流畅便捷的用户体验。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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