5V TTL/CMOS带滞后的输入6kV电流隔离宽体SO-8W封装

发布时间:2021/4/28 6:40:28 访问次数:561

单独的沉和源选择使得容易配置栅极驱动,4A米勒钳位引脚选择,器件具有UVLO功能,栅极驱动电压高达26V,3.3 V, 5 V TTL/CMOS带滞后的输入,温度关断保护,待机功能,6kV电流隔离,宽体SO-8W封装.

此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。

工作电压1.71V-3.8V,工作温度-40C 到125C.主要应用包括IoT多协议设备,照明,家庭连接,网关和数字助理,建筑物自动化和安全.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

商标名: OptiMOS

封装: Reel

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

子类别: MOSFETs

零件号别名: BSC109N10NS3 G SP000778132

器件集成了32位ARM® Cortex®-M33核,最大工作频率80MHz,有多达1024KB闪存和96KB RAM,12路外设反射系统使得MCU外设能自主互动,集成了2.4GHz 发送功率高达20dBm的功率放大器(PA),4x4 QFN封装中有强健的外设集合和多达20个GPIO.

器件具有高性能接收器: -104.5 dBm灵感度@ 250 kbps O-QPSK DSSS,-97.5 dBm灵敏度@ 1 Mbit/s GFSK,-94.4 dBm灵敏度@ 2 Mbit/s GFSK和-104.9 dBm灵感度@ 125 kbps GFSK.器件支部的调制格式有GFSK和OQPSK.支持的协议包括蓝牙低功耗(蓝牙5),ZigBee和Thread.