STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.

器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.

两种配置提供了高度灵活性,降低外接元件的材料清单(BOM).器件的高压轨高达1200V,@25C的驱动电流能力为4A沉/源.整个输入-输出延时为75ns.

主要用在中高功率应用包括工业应用中的电源转换,马达驱动器逆变器.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    100 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    19.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    17 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    78 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 2  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   18 S  

下降时间:   4 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   21 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   16 ns  

典型接通延迟时间:   11 ns  

零件号别名:  BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1  

单位重量:  120.780 mg  

轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。

CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求，极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计，从而实现了高效率和高功率密度。

嵌入式栅级驱动器解决了与快速开关SiC晶体管有关的多个挑战：例如用负驱动和有源米勒钳位（AMC）来防止寄生导通.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）