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600V高低边驱动器及专为GaN设计的600V高低边驱动芯片

发布时间:2021/4/19 22:41:18 访问次数:1144

寄生电感引起的输入瞬间负压,一般有三种应对方案。通过减小开关速度来降低影响,减小开关速度能降低电流变化速率di/dt,瞬间负压幅度也就会下降。

但这样处理有副作用,降低开关速度就会增加转换时间,所以会增加开关损耗,而在一些应用中如果对响应时间有要求,降低开关速度的方法就未必适合。

尽可能优化PCB布局布线,减小寄生参数,从而减小负压峰值,这是系统设计中常见的方法,但需要硬件工程师有非常丰富的设计经验,而在一些设计条件限制下,也可能无法优化PCB布局布线.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms, 2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC, 12.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 32 S, 36 S

开发套件: -

下降时间: 3 ns, 2.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.8 ns, 2.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 17 ns, 15 ns

典型接通延迟时间: 4.7 ns, 3.3 ns

零件号别名: BSC924NDIXT SP000934750 BSC0924NDIATMA1

单位重量: 96.440 mg

除了耐受负压能力强,NSD1025还提供欠压锁定功能,保持输出低电平直到电源电压进入工作范围内,而高低阈值之间的迟滞功能也提供了更出色的抗干扰能力。

在NSD1025之后,纳芯微还将推出600V高低边驱动器,以及专为GaN设计的600V高低边驱动芯片。可为工程师在工业电源、电机驱动等应用中的抗干扰设计,带来更好的解决方案。

STM32U5微控制器将会更受欢迎,客户利用这款产品能够开发出新的具有高能效、高性能、高网络安全的智能消费电子和工业产品。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

寄生电感引起的输入瞬间负压,一般有三种应对方案。通过减小开关速度来降低影响,减小开关速度能降低电流变化速率di/dt,瞬间负压幅度也就会下降。

但这样处理有副作用,降低开关速度就会增加转换时间,所以会增加开关损耗,而在一些应用中如果对响应时间有要求,降低开关速度的方法就未必适合。

尽可能优化PCB布局布线,减小寄生参数,从而减小负压峰值,这是系统设计中常见的方法,但需要硬件工程师有非常丰富的设计经验,而在一些设计条件限制下,也可能无法优化PCB布局布线.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.8 mOhms, 2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 10 nC, 12.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 32 S, 36 S

开发套件: -

下降时间: 3 ns, 2.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.8 ns, 2.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 17 ns, 15 ns

典型接通延迟时间: 4.7 ns, 3.3 ns

零件号别名: BSC924NDIXT SP000934750 BSC0924NDIATMA1

单位重量: 96.440 mg

除了耐受负压能力强,NSD1025还提供欠压锁定功能,保持输出低电平直到电源电压进入工作范围内,而高低阈值之间的迟滞功能也提供了更出色的抗干扰能力。

在NSD1025之后,纳芯微还将推出600V高低边驱动器,以及专为GaN设计的600V高低边驱动芯片。可为工程师在工业电源、电机驱动等应用中的抗干扰设计,带来更好的解决方案。

STM32U5微控制器将会更受欢迎,客户利用这款产品能够开发出新的具有高能效、高性能、高网络安全的智能消费电子和工业产品。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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