V系列（GigE接口）的扫描速度为10000个轮廓线／秒，而S系列（5GigE）的扫描速度更高，可达45000个轮廓线／秒。

如此高的速度对于许多在线应用场景大有裨益，特别是当X、Y、Z轴的尺寸偏差对于产品质量有着决定性影响时，能够在保证检测可靠性的同时整体提升生产率。

1GigE接口（Z-Trak2 V系列）或更快的2.5甚至5GigE技术的加入，保证了庞大的数据能够及时地传送给各相关加工单元。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 19.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 18 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 21 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 16 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1

单位重量: 120.780 mg

降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。

近年来，随着物联网的普及，白色家电和工业设备的自动化进程加速，使得产品的功耗不断增加，为了有效利用有限的地球资源和电力，对进一步降低功耗的需求不断提高，与此同时，对于负责功率转换工作的功率半导体之一IGBT以及配备了IGBT的模块，也提出了进一步降低功耗的要求。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）