Z-Trak2下各个型号的产品以Teledyne e2v的高端3D图像传感器为核心制造，Teledyne Imaging集团因此成为唯一一家成功开发出配备自家图像传感器的激光轮廓仪的制造商。

除了Teledyne DALSA的Sherlock 8和Sapera LT软件外，Z-Trak所有系列和支持GeniCam（3.0版）、SFNC（2.3版或能够发挥直接访问3D输出类型与格式优势的更高版本）的软件平台均能够顺利兼容。

对于不支持SFNC 2.3的型号，可利用Z-Trak2和Z-Trak LP1 3D轮廓传感器的16位单色输出实现快速整合。在软件方面，Z-Trak的所有型号均享有Teledyne DALSA Sherlock 8的免费许可。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 53 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP000416636 BSC19N15NS3GXT BSC190N15NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

新产品通过优化内置FRD（Fast Recovery Diode，快速恢复二极管）的软恢复性能和内置IGBT，与普通产品相比，辐射噪声降低6dB以上（峰值比较时），这使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。

配备了已实现更低损耗的最新IGBT元件，与ROHM以往产品相比，新产品的功率损耗降低了6%（fc=15kHz时），已达到业界超高水平，有助于降低各种应用设备的功耗。

产品还显著改善了温度监控功能，实现了±2％（相当于2℃）的高精度，这使得削减以往高精度温度监控器所需的外置热敏电阻数量同样成为可能，有助于减少元器件数量和设计工时。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）