InWheelSense能量收集模块利用压电元件从机械运动或力中产生电能。该模块放置在轮胎和车轮之间的边界处，可以利用轮胎旋转时路面产生的力来发电。

片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.

器件具有高度线性度,整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

23A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.8 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 10mA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），48W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-6

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

32nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1500pF @ 15V

基本产品编号

BSC0902

UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.

引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.

工作结温为–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）