普通硅MOSFET的体二极管速度非常慢,试图使逆变器作为充电器工作,它必须双向运行是非常困难的。将IGBT对与另一个二极管结合起来，但碳化硅是一个如此好的解决方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的设计改变，所以它是一个明显的选择。

Midnite太阳能公司在其新的太阳能产品系列中纳入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和较新的30mΩ RDS(on)产品。他预计可靠性会非常好，因为设计运行酷似。

驱动部件将很简单，因为ROHM也提供栅极驱动器。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    P-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    3.1 V    

Qg-栅极电荷:    57.5 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS P3  

晶体管类型:   1 P-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   30 S  

下降时间:   8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   46 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   35 ns  

典型接通延迟时间:   16 ns  

零件号别名:  SP000473024 BSZ86P3NS3GXT BSZ086P03NS3GATMA1  

单位重量:  100 mg  

在100 kbit/s GFSK, 915 MHz的确灵敏度为-98.8 dBm.

而100 kbit/s DSSS O-QPSK, 912 MHz的灵敏度为-106dBm.器件支持的调制格式有2 (G)FSK和DSSS O-QPSK,支持的协议有Z-Wave和Z-Wave长距离.

工作电压1.8V到3.8V,并集成了DC/DC转换器,工作温度-40 C 到 85 C, QFN32 5x5 mm封装.

控制器具有多种故障保护电路以防止过流(OCP),输出过压(OVP),输入UVLO和热关断. MAX15157B具有可调整内部补偿斜率,器件采用精确的电流检测放大器,通过模拟输出(IMON)报告输出电流.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）