PD架构的开放性使客户可以轻松地将USB-C / PD端口添加到各种嵌入式应用中，同时还允许客户将未使用的引脚或CPU存储器重新分配给其他系统功能，并支持多种Microchip SAM和PIC®单片机以及dsPIC®数字信号控制器（DSC）。

通过添加UPD350 PD收发器或将PD集成到具有专有系统代码的复杂产品中，PSF解决方案为设计人员提供了在现有Microchip 单片机基础架构上运行PD的选项。

新的PD软件框架，所有支持USB-C的Microchip 单片机和独立控制器现在都可以共享相同的PD代码库。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms, 1.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 3 nC, 8.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 77 S, 130 S

下降时间: 2.2 ns, 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.8 ns, 5.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 15 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 3.3 ns, 3.8 ns

零件号别名: BSC0911ND SP000934746

单位重量: 101.880 mg

它们具有控制动态高的特点，持续工作模式下的电流为1.4安培，电流峰值高达5安培。利用这款新型产品，FAULHABER弥补了运动控制器低端产品的不足。

虽然设计结构极为紧凑，这款只有拇指头大小的控制器具有与MC V3.0系列高功率产品相同的功能、RS232和CANopen接口以及编码器接口。

作为智能化的驱动模块，它们尤其适合安装在客户定制的应用设备当中。通过内置热敏模块和高PWM频率确保完善的电机过热保护。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）