位置:51电子网 » 技术资料 » 新品发布

支持DDR及CPU Cache全链路ECC充分发挥产品系统性能

发布时间:2021/4/16 13:08:54 访问次数:766

伴随「D1」应用处理器的发布,充分发挥RISC-V特性和产品系统性能,实现更多AIoT不同应用场景的量产落地。

将持续坚持开放创新,为用户实现价值增长提供更多可靠路径。强大的视频编解码能力。支持4K H.264/H.265/VP9等多种格式高清解码,支持1080p 60fps的H.264及H.265格式编码.

搭载RK3568的联想边缘增强计算板卡ECB-PR51主板,遵循Leez家族的标准化设计,可全面兼容Leez丰富的功能模块及高防护外壳。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 6.6 nC, 30.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 42 S, 85 S

下降时间: 2.4 ns, 4.1 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.6 ns, 5.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 13 ns, 28 ns

典型接通延迟时间: 2.4 ns, 5.6 ns

零件号别名: BSC0910NDI SP000998052

单位重量: 101.820 mg

其具备五大技术特性:

高性能处理器。采用四核A55架构CPU,G52 GPU;内置NPU,可提供0.8T算力.

高可靠性设计。支持DDR及CPU Cache全链路ECC.

内置安防级ISP图像处理器。8M@30fps处理能力,强大的HDR功能,支持畸变矫正、去雾、噪点消除等功能.

丰富的显示、外设及拓展接口。内置HDMI/eDP/LVDS/MIPI/RGB/T-CON显示接口,支持多显;支持10x UART, 6x I2C, 16x PWM, 4x SPI, 3x CAN, 8xADC;支持PCIe 3.0及PCIe2.0、双千兆以太网、SATA3.0及USB3.0等灵活高速扩展接口.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

伴随「D1」应用处理器的发布,充分发挥RISC-V特性和产品系统性能,实现更多AIoT不同应用场景的量产落地。

将持续坚持开放创新,为用户实现价值增长提供更多可靠路径。强大的视频编解码能力。支持4K H.264/H.265/VP9等多种格式高清解码,支持1080p 60fps的H.264及H.265格式编码.

搭载RK3568的联想边缘增强计算板卡ECB-PR51主板,遵循Leez家族的标准化设计,可全面兼容Leez丰富的功能模块及高防护外壳。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 6.6 nC, 30.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 42 S, 85 S

下降时间: 2.4 ns, 4.1 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.6 ns, 5.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 13 ns, 28 ns

典型接通延迟时间: 2.4 ns, 5.6 ns

零件号别名: BSC0910NDI SP000998052

单位重量: 101.820 mg

其具备五大技术特性:

高性能处理器。采用四核A55架构CPU,G52 GPU;内置NPU,可提供0.8T算力.

高可靠性设计。支持DDR及CPU Cache全链路ECC.

内置安防级ISP图像处理器。8M@30fps处理能力,强大的HDR功能,支持畸变矫正、去雾、噪点消除等功能.

丰富的显示、外设及拓展接口。内置HDMI/eDP/LVDS/MIPI/RGB/T-CON显示接口,支持多显;支持10x UART, 6x I2C, 16x PWM, 4x SPI, 3x CAN, 8xADC;支持PCIe 3.0及PCIe2.0、双千兆以太网、SATA3.0及USB3.0等灵活高速扩展接口.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

自制智能型ICL7135
    表头使ff11CL7135作为ADC,ICL7135是... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!