驱动功率高出3倍(高达7A)的工业步进电机和无刷直流(BLDC)电机
发布时间:2021/4/17 23:06:33 访问次数:405
UMT-H为能源、数据、医疗、工业控制和汽车等行业的诸多应用提供了一个综合性的理想解决方案。该系列产品也不渗透保形涂料，所以非常适合应用于危险环境中的ATEx和IECEx认证设备。
按照特定的焊接宽度对UMT-H进行了多种分断能力测量。环境温度允许范围为-55°C到125°C。较大的焊盘可保证散热效果最佳。
UMT-H是根据IEC 60127-7和UL 248-14标准设计的，已获得VDE和cURus认证，也通过了IEC、MIL-STD 202和AEC-Q200测试。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: BSC0906NS SP000893360
插槽式运动控制嵌入式模块及其开发工具，采用独特的实时无传感器控制技术。
这些完备的控制/驱动模块通过在其板上实时处理关键功能，使得电机控制系统的通信流量保持在较低水平，从而减轻系统处理器的工作负荷。
支持蓝牙5（Bluetooth® 5）的RE01B微控制器（MCU），扩展超低功耗32位MCU RE产品家族。
控制技术优化了工业电机的功耗，将浪费的功率降低50%，使其能够驱动功率高出3倍(高达7A)的工业步进电机和无刷直流(BLDC)电机。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
UMT-H为能源、数据、医疗、工业控制和汽车等行业的诸多应用提供了一个综合性的理想解决方案。该系列产品也不渗透保形涂料，所以非常适合应用于危险环境中的ATEx和IECEx认证设备。
按照特定的焊接宽度对UMT-H进行了多种分断能力测量。环境温度允许范围为-55°C到125°C。较大的焊盘可保证散热效果最佳。
UMT-H是根据IEC 60127-7和UL 248-14标准设计的，已获得VDE和cURus认证，也通过了IEC、MIL-STD 202和AEC-Q200测试。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: BSC0906NS SP000893360
插槽式运动控制嵌入式模块及其开发工具，采用独特的实时无传感器控制技术。
这些完备的控制/驱动模块通过在其板上实时处理关键功能，使得电机控制系统的通信流量保持在较低水平，从而减轻系统处理器的工作负荷。
支持蓝牙5（Bluetooth® 5）的RE01B微控制器（MCU），扩展超低功耗32位MCU RE产品家族。
控制技术优化了工业电机的功耗，将浪费的功率降低50%，使其能够驱动功率高出3倍(高达7A)的工业步进电机和无刷直流(BLDC)电机。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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