器件工作的开关频率2.2MHz或1MHz,并和外接时钟同步.

128×96（12288像素）分辨率的热像仪拥有-20至300°C（-4至572°F）的较大温度范围，这是对原FLIR C2的一项重大升级。

它虽然是FLIR的入门级C系列热像仪，但依旧具备强大的功能，例如FLIR Ignite和MSX，以及专业报告功能，可以通过FLIR Thermal Studio对问题和维修进行图像归档。

主要用在机架服务器和刀片服务器,硬件加速器和插入卡,数据中心交换以及工业PC.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms, 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 8.9 nC, 33 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S, 70 S

下降时间: 2.4 ns, 3.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.4 ns, 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 12 ns, 25 ns

典型接通延迟时间: 1.8 ns, 5 ns

零件号别名: BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1

单位重量: 101.600 mg

MasterGaN4原型开发板(EVALMASTERGAN4)。这块评估板提供使用单一或互补信号驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的死区时间发生器。

用户可以灵活地施加一个单独输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已投产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）