高度集成的SAM R34系列IC并支持LoRa®和FSK调制
发布时间:2021/4/8 18:30:01 访问次数:503
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管(SBD)、SiC MOSFET、全SiC功率模块(集成SiC SBD和MOSFET)以及高耐热功率模块。
这些紧凑而有效的半导体器件具有显着减小最终产品尺寸的潜力。
WLR089U0模块具有低至790 nA的超低功耗休眠电流,为电池供电远程传感应用提供了理想的解决方案,如物联网 (IoT) 设备和智慧城市解决方案。
Microchip WLR089U0模块基于高度集成的SAM R34系列IC,并支持LoRa®和FSK调制。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 热交换电压控制器
RoHS: 详细信息
产品: PCI Power Management
电流限制: 0.6 A to 6 A
电源电压-最大: 60 V
电源电压-最小: 4.5 V
通道数量: 1 Channel
工作电源电流: 1.38 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VQFN-24
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
功率失效检测: Yes
系列: TPS2663
商标: Texas Instruments
输入/电源电压—最大值: 60 V
输入/电源电压—最小值: 4.5 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Hot Swap Voltage Controllers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 54.800 mg
全新气体放电管(GDT) GDT25型号系列,其标准浪涌电流额定值比Bourns®现有型号提高了40%。
新一代系列产品采用Bourns专有的先进计算器模拟技术进行设计,并提供业界领先的最大脉冲电压限制规格。
Bourns的最新一代GDT25系列提供性能对于感应电压瞬变(例如雷击和交流感应)有显著的增强保护。 相较于目前标准GDT的设计,则增强了保护级别,提供在快速上升事件期间更严格的电压限制,并减少对下游组件的压力。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管(SBD)、SiC MOSFET、全SiC功率模块(集成SiC SBD和MOSFET)以及高耐热功率模块。
这些紧凑而有效的半导体器件具有显着减小最终产品尺寸的潜力。
WLR089U0模块具有低至790 nA的超低功耗休眠电流,为电池供电远程传感应用提供了理想的解决方案,如物联网 (IoT) 设备和智慧城市解决方案。
Microchip WLR089U0模块基于高度集成的SAM R34系列IC,并支持LoRa®和FSK调制。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 热交换电压控制器
RoHS: 详细信息
产品: PCI Power Management
电流限制: 0.6 A to 6 A
电源电压-最大: 60 V
电源电压-最小: 4.5 V
通道数量: 1 Channel
工作电源电流: 1.38 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VQFN-24
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
功率失效检测: Yes
系列: TPS2663
商标: Texas Instruments
输入/电源电压—最大值: 60 V
输入/电源电压—最小值: 4.5 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Hot Swap Voltage Controllers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 54.800 mg
全新气体放电管(GDT) GDT25型号系列,其标准浪涌电流额定值比Bourns®现有型号提高了40%。
新一代系列产品采用Bourns专有的先进计算器模拟技术进行设计,并提供业界领先的最大脉冲电压限制规格。
Bourns的最新一代GDT25系列提供性能对于感应电压瞬变(例如雷击和交流感应)有显著的增强保护。 相较于目前标准GDT的设计,则增强了保护级别,提供在快速上升事件期间更严格的电压限制,并减少对下游组件的压力。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)