利用ROHM的碳化硅MOSFET来提高效率和降低系统成本。

600VDC至48VDC 6000W MPPT太阳能充电控制器、功能强大的巴塞罗那双MPPT充电控制器、MMB17先进的基于电池的充电器/逆变器以及120/240V Rosie逆变器/充电器，都得益于ROHM的SiC技术的高性能和成熟的可靠性。

与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    P-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 25 V, + 25 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    3.1 V    

Qg-栅极电荷:    57.5 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   BSZ086P03  

晶体管类型:   1 P-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   30 S  

下降时间:   8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   46 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   35 ns  

典型接通延迟时间:   16 ns  

零件号别名:  BSZ086P03NS3 G SP000473024  

单位重量:  38.760 mg

SSOT-24封装以及超小尺寸封装USPQ-4B05，有助于便携式设备的小型化和高密度安装应用。

即使VIN电压低于最小工作电压，也可以通过未定义的防止操作功能避免系统故障，该功能可最大程度地降低输出电压的上升。

器件允许单相或多相(多达四相)操作.

器件输入电压从8V到60V,输出电压从3V到56V,采用5mmx5mm 32引脚TQFN封装,工作温度-40C 到 +125C.主要用在通信,工业和汽车电子.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）