新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能.

因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    100 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    8.3 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.2 V    

Qg-栅极电荷:    28 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    69 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   23 S  

下降时间:   5 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   5 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   21 ns  

典型接通延迟时间:   11 ns  

零件号别名:  BSZ097N10NS5 SP001132550  

单位重量:  36.700 mg

MAX20446B是带升压/SEPIC控制器,混合调光和I2C接口的6路背景光驱动器,每路电流输出可沉入高达130mA LED电流.

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