新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。

NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。

这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。

隔离栅在产品使用寿命内需要承受的恒定电压是多少。

浪涌隔离等级是否需要增强隔离，需要一个能够承受>10kV浪涌脉冲的隔离器。

4毫米封装的爬电距离/电气间隙是否足够，或者您的系统标准要求8毫米或更高的规格。

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制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    PG-TSDSON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    100 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    13 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.2 V

Qg-栅极电荷:    22 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

长度:   3.3 mm

系列:   OptiMOS 5

晶体管类型:   1 N-Channel

宽度:   3.3 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   23 S

下降时间:   5 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   5 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   21 ns

典型接通延迟时间:   11 ns

零件号别名:  SP001132550 BSZ097N10NS5ATMA1

单位重量:  36.700 mg

器件具有I2C控制的脉宽调制(PWM)调光和混合调光.LED串的可选择相移调光可降低EMI.

采用混合调光的调光比大于10000:1,200Hz时采用PWM调光时调光比为10000:1.器件工作温度-40 到 +125C,采用4mm x 4mm 24引脚TQFN封装.

主要用在汽车娱乐显示,中心信息显示和仪表盘.

LT3960是一款强大的高速收发器,通过使用CAN物理层,以高达400kbps 的速度将单主 I2C 总线扩展到恶劣或嘈杂的环境.

隔离器是否可用于诸如电机驱动或太阳能逆变器等嘈杂的环境IC技术资料中（在这些环境中数据完整性至关重要，任何位错误都可能导致危险的短路事件），如果如此，那么高CMTI额定值对于您的数字隔离器至关重要。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）