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通信接口的隔离和噪音控制MOSFET的重复雪崩能力

发布时间:2021/4/4 19:27:15 访问次数:245

MDF1005系列产品具有良好的直流叠加特性,阻抗在PoC高频段(700 MHz和2.4 GHz之间)范围内。

该系列也最适合于通信接口的隔离和噪音控制。尽管尺寸小,只有1.0毫米长、0.5毫米宽,但在高达125℃的环境中,该系列产品使用额定电流为400mA,可提供1000欧姆或以上的阻抗。

MDF系列使用在高频段范围内损耗低的铁氧体材料,与一般贴片磁珠相比,在更高的频率下保持了更高的阻抗,并且也控制了通电期间的阻抗波动,满足了PoC滤波器的要求,同时展现了噪音控制效果。

TDK将继续努力扩大阻抗范围,满足客户对各种车载电子设备噪音的控制要求。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:33 A Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:47.3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 工厂包装数量1000 子类别:MOSFETs 单位重量:6 g

第四个选择是重复雪崩设计,利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当,能够消除对于二极管和其他器件的需求,从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。

这种设计还能支持更快的关断时间,进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。通常来讲,这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。

通常,希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面半导体技术的器件。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

MDF1005系列产品具有良好的直流叠加特性,阻抗在PoC高频段(700 MHz和2.4 GHz之间)范围内。

该系列也最适合于通信接口的隔离和噪音控制。尽管尺寸小,只有1.0毫米长、0.5毫米宽,但在高达125℃的环境中,该系列产品使用额定电流为400mA,可提供1000欧姆或以上的阻抗。

MDF系列使用在高频段范围内损耗低的铁氧体材料,与一般贴片磁珠相比,在更高的频率下保持了更高的阻抗,并且也控制了通电期间的阻抗波动,满足了PoC滤波器的要求,同时展现了噪音控制效果。

TDK将继续努力扩大阻抗范围,满足客户对各种车载电子设备噪音的控制要求。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:33 A Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:47.3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:140 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon / IR 产品类型:MOSFET 工厂包装数量1000 子类别:MOSFETs 单位重量:6 g

第四个选择是重复雪崩设计,利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当,能够消除对于二极管和其他器件的需求,从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。

这种设计还能支持更快的关断时间,进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。通常来讲,这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。

通常,希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面半导体技术的器件。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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