位置:51电子网 » 技术资料 » 显示光电

Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器n信道增强模式MOSFET

发布时间:2021/3/27 23:45:01 访问次数:683

Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。

新产品结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力,可更靠近功率晶体管放置,实现紧凑的印制电路板(PCB)设计。

这些栅极驱动器所取得的新进展可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制,同时支持使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和快速Si FET等新兴技术。

这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力,进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS774H

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道数量: 1 Channel

接口类型: Parallel

采样比: 125 kS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 5 V

数字电源电压: 4.5 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 72 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Reel

高度: 2.35 mm

长度: 18 mm

转换器数量: 1 Converter

宽度: 7.52 mm

商标: Texas Instruments

参考类型: External, Internal

INL - 积分非线性: +/- 1 LSB

工作电源电压: 4.5 V to 5.4 V

Pd-功率耗散: 120 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

工厂包装数量: 1000

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 2.215 g

3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ可以取代两个分立式 MOSFET,以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间,包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET,并就此配置实现了业界最低的 RDS(ON)  - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID时仅为 10.9mΩ。

DMT47M2LDVQ符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。

新产品结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力,可更靠近功率晶体管放置,实现紧凑的印制电路板(PCB)设计。

这些栅极驱动器所取得的新进展可以帮助电源转换器设计人员满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制,同时支持使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和快速Si FET等新兴技术。

这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力,进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS774H

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-28

分辨率: 12 bit

通道数量: 1 Channel

接口类型: Parallel

采样比: 125 kS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 5 V

数字电源电压: 4.5 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 72 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Reel

高度: 2.35 mm

长度: 18 mm

转换器数量: 1 Converter

宽度: 7.52 mm

商标: Texas Instruments

参考类型: External, Internal

INL - 积分非线性: +/- 1 LSB

工作电源电压: 4.5 V to 5.4 V

Pd-功率耗散: 120 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

工厂包装数量: 1000

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 2.215 g

3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ可以取代两个分立式 MOSFET,以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间,包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET,并就此配置实现了业界最低的 RDS(ON)  - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID时仅为 10.9mΩ。

DMT47M2LDVQ符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范,能支持 PPAP 文件,且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

按钮与灯的互动实例
    现在赶快去看看这个目录卞有什么。FGA15N120AN... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!