内部集成电平转换器的60V DC-DC反相转换器，这些器件与最接近的竞争方案相比，外部元件数量减少一半、能耗降低35%，从而节省高达72%的电路板空间。

两款IC有效降低了方案尺寸、发热和成本，同时简化了智能IoT设备中模拟信号所需的负压输出电源设计，可广泛用于工厂自动化、楼宇自动化和通信系统。

除了连续工作电压外，SiT8008还提供业界领先的弹性和可靠性，宽范围的可编程频率范围，六位十进制精度，低功耗，小封装尺寸.

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:P-SOT-89-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:240 V Id-连续漏极电流:260 mA Rds On-漏源导通电阻:3.9 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:3.7 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.5 mm 长度:4.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:2.5 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:160 mS 下降时间:27.3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3.5 ns 工厂包装数量1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:17.6 ns 典型接通延迟时间:3.7 ns 零件号别名:SP001047646 BSS87H6327FTSA1 单位重量:50.500 mg

通过将功率分析仪的测量数据与高速数据记录仪的多通道模拟测量信号数据进行同步，此软件可以帮助开发电动机、变频器和其他类型的设备。

这超越了之前的可用输入模块功能，从而可以捕捉到更多关于最新机电一体化设备产生的过渡变化和噪声特性的信号数据。

电源模块也集成了领先同业并已获发专利的浪涌电流抑制功能，为工程师大幅简化其应用设计，让他们无需按照业界的标准规定连接外部设备，也可提供这一功能。

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