单个EtherNet/IP连接650V击穿电压薄晶圆技术
发布时间:2021/3/31 12:51:26 访问次数:379
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。
这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。
更高的浪涌,雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
制造商:JAE Electronics 产品种类:汽车连接器 产品:Connectors 附件类型:- 位置数量:14 Position 型式:Receptacle (Female) 安装风格:Cable Mount / Free Hanging 端接类型:Crimp 触点电镀:Tin 系列: 封装:Bulk 触点类型:Socket (Female) 电流额定值:3 A 外壳材料:Polybutylene Terephthalate (PBT) 安装角:Straight 排数:2 Row 类型:Wire Housings 商标:JAE Electronics 节距:2.2 mm 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Automotive Connectors 576 子类别:Automotive Connectors
这些智能设备还可以提供诊断信息,进而提供有价值的洞见。
例如,安全相关故障的发生位置,以及工人是否遵循标准操作程序等。用户可以凭借这些洞见,提高生产设备的效率和可持续性。
这种了解安全状况的全新方式不仅有助于保证人员和流程的安全,而且还能大幅提高生产率。传统安全设备要么不提供数据,要么提供的数据很少。
它还扩展了扫描仪的视场范围,并通过单个 EtherNet/IP 连接提供重要诊断数据。
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装,具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。
这技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。
更高的浪涌,雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
制造商:JAE Electronics 产品种类:汽车连接器 产品:Connectors 附件类型:- 位置数量:14 Position 型式:Receptacle (Female) 安装风格:Cable Mount / Free Hanging 端接类型:Crimp 触点电镀:Tin 系列: 封装:Bulk 触点类型:Socket (Female) 电流额定值:3 A 外壳材料:Polybutylene Terephthalate (PBT) 安装角:Straight 排数:2 Row 类型:Wire Housings 商标:JAE Electronics 节距:2.2 mm 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 产品类型:Automotive Connectors 576 子类别:Automotive Connectors
这些智能设备还可以提供诊断信息,进而提供有价值的洞见。
例如,安全相关故障的发生位置,以及工人是否遵循标准操作程序等。用户可以凭借这些洞见,提高生产设备的效率和可持续性。
这种了解安全状况的全新方式不仅有助于保证人员和流程的安全,而且还能大幅提高生产率。传统安全设备要么不提供数据,要么提供的数据很少。
它还扩展了扫描仪的视场范围,并通过单个 EtherNet/IP 连接提供重要诊断数据。