高压栅极驱动器提高适配器和快充充电器的功率密度
发布时间:2021/4/3 13:54:27 访问次数:428
MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有的必备的保护功能。
设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。
输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。
这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。
850nm适用于需要高灵敏度的系统
940nm能够轻松达到人眼安全保护法规要求；出色的抗阳光干扰抑制能力使940nm照明器适用于室外使用
每种波长选择还提供三种发射角配置：
超宽FoI——适用于机器人避障和人数统计应用
宽FoI——适用于机器视觉系统，例如物流系统中的体积测量
窄FoI——适用于轮廓测量等应用场景，支持远程测量
OmniVision的PureCel Plus-S堆叠架构使OX03C10的像素性能比非堆叠技术更有优势，此外，它还具有更小的裸片和更低的功耗。
它还采用了Nextchip的NVP2650D图像信号处理器(ISP),它将两个NVP2650 ISP核集成在一个封装中，可以同时处理来自两个OX03C10传感器的捕获，使用单个ISP提供每秒60帧(fps)的双和全LFM图像输出。
这款传感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）组合算法，独特地同时提供了最高的HDR和LFM性能，同时其Deep Well双转换增益技术可显著降低运动伪影。
MasterGaN电力系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和配套的高压栅极驱动器，并内置了所有的必备的保护功能。
设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部设备直连MasterGaN器件。
输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。
这种集成方案有助于提高适配器和快充充电器的功率密度。
850nm适用于需要高灵敏度的系统
940nm能够轻松达到人眼安全保护法规要求；出色的抗阳光干扰抑制能力使940nm照明器适用于室外使用
每种波长选择还提供三种发射角配置：
超宽FoI——适用于机器人避障和人数统计应用
宽FoI——适用于机器视觉系统，例如物流系统中的体积测量
窄FoI——适用于轮廓测量等应用场景，支持远程测量
OmniVision的PureCel Plus-S堆叠架构使OX03C10的像素性能比非堆叠技术更有优势，此外，它还具有更小的裸片和更低的功耗。
它还采用了Nextchip的NVP2650D图像信号处理器(ISP),它将两个NVP2650 ISP核集成在一个封装中，可以同时处理来自两个OX03C10传感器的捕获，使用单个ISP提供每秒60帧(fps)的双和全LFM图像输出。
这款传感器集成了OmniVision的HALE（HDR和LFM引擎）组合算法，独特地同时提供了最高的HDR和LFM性能，同时其Deep Well双转换增益技术可显著降低运动伪影。
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