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QPC1251Q开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案

发布时间:2021/4/3 13:51:08 访问次数:301

Qorvo 提供两个版本的新型 AECQ 级开关:QPC1251Q适用于eCall;QPC1252Q适用于双卡双通 (DSDA) eCall。

与传统的分立式开关设计相比,两款开关都可以节省高达 50% 的电路板空间,并具有高达 +29 dBm的热切换能力,适用于所有远程通信控制单元 (TCU) 配置。

此外,它们还可以减少高达 1 dB 的插入损耗,从而尽可能提高传递到外部eCall天线阵列的有效功率。即使在信号受限的区域,也可以充分减少热量,实现更好的蜂窝和 5G 连接。

制造商:Analog Devices Inc.产品种类:电流灵敏放大器RoHS: 系列:通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:250 kHzVcm - 共模电压:- 2 V to 70 VCMRR - 共模抑制比:90 dBVos - 输入偏置电压 :200 uV电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:4.1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MSOP-8封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel描述/功能:High voltage, high resolution current shunt amplifier输出电压:0.032 V产品:Current Sense Amplifiers商标:Analog Devices产品类型:Current Sense Amplifiers3000子类别:Amplifier ICs单位重量:140 mg


基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。

集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Qorvo 提供两个版本的新型 AECQ 级开关:QPC1251Q适用于eCall;QPC1252Q适用于双卡双通 (DSDA) eCall。

与传统的分立式开关设计相比,两款开关都可以节省高达 50% 的电路板空间,并具有高达 +29 dBm的热切换能力,适用于所有远程通信控制单元 (TCU) 配置。

此外,它们还可以减少高达 1 dB 的插入损耗,从而尽可能提高传递到外部eCall天线阵列的有效功率。即使在信号受限的区域,也可以充分减少热量,实现更好的蜂窝和 5G 连接。

制造商:Analog Devices Inc.产品种类:电流灵敏放大器RoHS: 系列:通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:250 kHzVcm - 共模电压:- 2 V to 70 VCMRR - 共模抑制比:90 dBVos - 输入偏置电压 :200 uV电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:4.1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MSOP-8封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel描述/功能:High voltage, high resolution current shunt amplifier输出电压:0.032 V产品:Current Sense Amplifiers商标:Analog Devices产品类型:Current Sense Amplifiers3000子类别:Amplifier ICs单位重量:140 mg


基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ,每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器,使GaN晶体管像普通硅器件一样便捷易用。

集成了先进的驱动功能和GaN本身固有性能优势,MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式变换器等拓扑电路的高能效、小体积和轻量化优势。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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