小尺寸12乘10英吋的车规等级共模芯片电感器系列。Bourns最新的共模电感器系列采用铁氧体磁芯设计，双绕线配置以提供紧凑的尺寸和屏蔽结构。

SRF3225AB和SRF3225TAC型共模芯片式电感器系列可在极宽的频率范围内提供低辐射和高阻抗，以抑制进入或离开系统的电磁干扰（EMI），使其成为在消费电子，工业用及其他应用领域进行设计和测试的出色解决方案。

这两种型号系列均符合AEC-Q200标准，可靠性和耐用性均大幅提高。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 18 A

Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 9.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 29 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 8 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 1.8 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 9.1 ns

典型接通延迟时间: 4.3 ns

零件号别名: BSZ440N10NS3 G SP000482442

单位重量: 95 mg

「裸铜」版的结构无镀锡,可增强TCR性能,铜端子上覆盖有一层保护层,有助于延长电阻器的使用寿命。

Bourns®全新扩展的CSM2F型号系列具有最低25微欧至最高200微欧的电阻值、可达50瓦的额定功率、1414安培的连续电流，以及具有高脉冲功率处理能力。

该系列使用电子束（E-Beam）焊接电阻铜合金制造，其中金属合金电流传感组件提供的热EMF低至0.25 μV / K，在20°C至60°C的温度范围内具有50 PPM /°C的低TCR。

Bourns®全新CSM2F型号系列现已上市，全系列均符合RoHS*标准。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）