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I/O输出电流4段可调功能限流电阻直接驱动LED

发布时间:2021/3/24 8:48:04 访问次数:240

800mA充电Flash MCU:BP45F1120、BP45F1320、BP45F1322,资源具有1K×14 Flash ROM、64×8 RAM、32×14 EEPROM。

工作电压1.8V~5.5V、11个复用型I/O。内建的10-bit ADC可选择内部1.6V作为ADC参考电压,通过控制8-bit PWM脉冲宽度,实现负载控制。

内建线性充电器可通过软件设置40mA~800mA恒流充电,并且自动切换涓流、恒流、恒压、回充模式。内建I/O输出电流4段可调功能,无需限流电阻直接驱动LED。

SiC MosFET特性

工作结温高达200°C

极低的开关损耗

无体二极管的恢复损耗

高温功率损耗较少

易于驱动

SiC MosFET应用

牵引电动机

充电站

太阳能逆变器

工厂自动化

电动机驱动

数据中心电源

工业电池充电器

不间断电源


TE Connectivity的LUMAWISE Endurance N Enhanced Base系列产品使整合街道照明控制的创新变得简单。随着智能城市变得更加智能,需要更复杂的系统,LUMAWISE提供了一个简化的产品平台,支持照明控制产品的模块化。

LUMAWISE支持诸如存在、光照和活动检测以及天气测量和事故报告等应用。它的设计还降低了替换设计的成本,在开发下一代网络照明控制时简化了上市时间。

LUMAWISE Endurance N增强型底座提供复杂控制节点解决方案所需的交流电源开关和直流电源。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

800mA充电Flash MCU:BP45F1120、BP45F1320、BP45F1322,资源具有1K×14 Flash ROM、64×8 RAM、32×14 EEPROM。

工作电压1.8V~5.5V、11个复用型I/O。内建的10-bit ADC可选择内部1.6V作为ADC参考电压,通过控制8-bit PWM脉冲宽度,实现负载控制。

内建线性充电器可通过软件设置40mA~800mA恒流充电,并且自动切换涓流、恒流、恒压、回充模式。内建I/O输出电流4段可调功能,无需限流电阻直接驱动LED。

SiC MosFET特性

工作结温高达200°C

极低的开关损耗

无体二极管的恢复损耗

高温功率损耗较少

易于驱动

SiC MosFET应用

牵引电动机

充电站

太阳能逆变器

工厂自动化

电动机驱动

数据中心电源

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LUMAWISE支持诸如存在、光照和活动检测以及天气测量和事故报告等应用。它的设计还降低了替换设计的成本,在开发下一代网络照明控制时简化了上市时间。

LUMAWISE Endurance N增强型底座提供复杂控制节点解决方案所需的交流电源开关和直流电源。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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