氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。

在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和驱动器，可产生功能强大、速度超快的IC，并且缩小系统的尺寸和降低成本，从而在消费类应用中得以普及。

全新的氮化镓集成电路系列将显着提升性能，同时缩小飞行时间激光雷达系统的尺寸和降低成本。

制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:ESD Suppressors 极性:Unidirectional 工作电压:5 V 通道数量:2 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 击穿电压:6.8 V 钳位电压:7 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):480 W Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Cd - 二极管电容 :260 pF Ipp - 峰值脉冲电流:30 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:GSOT03C to GSOT36C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Vishay Semiconductors 工厂包装数量:3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 单位重量:9 mg

安全卸载包括IPsec、kTLS和SSL/TLS，而加速存储应用则包括Virtio.blk、NVMe™ over TCP、Ceph以及压缩和加密业务。

Vmvare正为要求更高安全性的下一代应用定义混合云架构。SmartNIC将在VMware Cloud Foundation架构中发挥关键作用，为客户提供一个跨越裸机和虚拟化环境的统一管理.

安全和弹性模型，在这些环境中，赛灵思Alveo SN1000 SmartNIC的可组合性将为客户提供灵活、集成的优质解决方案。