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低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET的故障覆盖率

发布时间:2021/3/16 8:41:54 访问次数:341

新款 Keysight i7090 具有以下重要优势:

配备 20 个并行内核,可提供灵活的可扩展性和配置方式,能够同时对多个被测器件执行测试。

系统体积小,仅宽 600 毫米,为您节省宝贵的测试空间和测试周期。

支持大规模到超大规模电路板检测,可以减少系统投资,改善电路板测试时间。

不上电和无矢量测试技术(VTEP)带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 参考电压

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

参考类型: Shunt Adjustable Precision References

输出电压: Adjustable

初始准确度: 0.4 %

温度系数: 114 PPM/C

串联VREF—输入电压—最大值: 37 V

分流电流—最大值: 100 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TL1431

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

描述/功能: PRECISION ADJUSTABLE (PROGRAMMABLE) SHUNT REFERENCE

高度: 1.15 mm

长度: 3 mm

工作温度范围: - 40 C to + 125 C

产品: Voltage References

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

分流电流—最小值: 1000 uA

拓扑结构: Shunt References

最大输出电压: 36 V

产品类型: Voltage References

工厂包装数量: 2000

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 39 mg

低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。

在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。

寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新款 Keysight i7090 具有以下重要优势:

配备 20 个并行内核,可提供灵活的可扩展性和配置方式,能够同时对多个被测器件执行测试。

系统体积小,仅宽 600 毫米,为您节省宝贵的测试空间和测试周期。

支持大规模到超大规模电路板检测,可以减少系统投资,改善电路板测试时间。

不上电和无矢量测试技术(VTEP)带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 参考电压

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

参考类型: Shunt Adjustable Precision References

输出电压: Adjustable

初始准确度: 0.4 %

温度系数: 114 PPM/C

串联VREF—输入电压—最大值: 37 V

分流电流—最大值: 100 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TL1431

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

描述/功能: PRECISION ADJUSTABLE (PROGRAMMABLE) SHUNT REFERENCE

高度: 1.15 mm

长度: 3 mm

工作温度范围: - 40 C to + 125 C

产品: Voltage References

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

分流电流—最小值: 1000 uA

拓扑结构: Shunt References

最大输出电压: 36 V

产品类型: Voltage References

工厂包装数量: 2000

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 39 mg

低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。

在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。

寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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