低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET的故障覆盖率
发布时间:2021/3/16 8:41:54 访问次数:341
新款 Keysight i7090 具有以下重要优势:
配备 20 个并行内核,可提供灵活的可扩展性和配置方式,能够同时对多个被测器件执行测试。
系统体积小,仅宽 600 毫米,为您节省宝贵的测试空间和测试周期。
支持大规模到超大规模电路板检测,可以减少系统投资,改善电路板测试时间。
不上电和无矢量测试技术(VTEP)带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 参考电压
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
参考类型: Shunt Adjustable Precision References
输出电压: Adjustable
初始准确度: 0.4 %
温度系数: 114 PPM/C
串联VREF—输入电压—最大值: 37 V
分流电流—最大值: 100 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: TL1431
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
描述/功能: PRECISION ADJUSTABLE (PROGRAMMABLE) SHUNT REFERENCE
高度: 1.15 mm
长度: 3 mm
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
产品: Voltage References
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
分流电流—最小值: 1000 uA
拓扑结构: Shunt References
最大输出电压: 36 V
产品类型: Voltage References
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 39 mg

低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。
在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。
新款 Keysight i7090 具有以下重要优势:
配备 20 个并行内核,可提供灵活的可扩展性和配置方式,能够同时对多个被测器件执行测试。
系统体积小,仅宽 600 毫米,为您节省宝贵的测试空间和测试周期。
支持大规模到超大规模电路板检测,可以减少系统投资,改善电路板测试时间。
不上电和无矢量测试技术(VTEP)带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 参考电压
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
参考类型: Shunt Adjustable Precision References
输出电压: Adjustable
初始准确度: 0.4 %
温度系数: 114 PPM/C
串联VREF—输入电压—最大值: 37 V
分流电流—最大值: 100 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: TL1431
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
描述/功能: PRECISION ADJUSTABLE (PROGRAMMABLE) SHUNT REFERENCE
高度: 1.15 mm
长度: 3 mm
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
产品: Voltage References
宽度: 4.4 mm
商标: Texas Instruments
分流电流—最小值: 1000 uA
拓扑结构: Shunt References
最大输出电压: 36 V
产品类型: Voltage References
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 39 mg

低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间,以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流,以跨过米勒平台区域,实现快速打开。
在开关MOSFET的时候,有一个高di/dt的脉冲产生,这种快速变化与寄生电感共同作用,产生了负电压峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
寄生电感值约等于功率MOSFET的内部键合线和PCB回线接地回路中的电感量之和,其值可以从几nH至十几nH不等,寄生电感大小主要取决于PCB布局布线。