TDK的超小型激光模块通损耗和关断损耗都得到降低
发布时间:2021/3/22 22:48:02 访问次数:184
新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。
在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。
这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型:High Side 输出端数量:1 Output 电流限制:1.5 A 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-25 系列:AP2161 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:USB Power Switches 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Power Switch ICs - Power Distribution 工厂包装数量:3000 子类别:Switch ICs 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V
这种辅助装置通过在框架中央配备照相机并直接成像到视网膜上的原理，使得用户能够看到不受眼睛屈光部位（即角膜、晶状体）状况影响的清晰图像。
直接成像技术实际上具有解决视觉问题的真正潜力。近视、远视、散光或老花眼的人有可能无需使用矫正眼镜或隐形眼镜就能看到投射的图像。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。
在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。
这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型:High Side 输出端数量:1 Output 电流限制:1.5 A 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-25 系列:AP2161 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:USB Power Switches 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Power Switch ICs - Power Distribution 工厂包装数量:3000 子类别:Switch ICs 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V
这种辅助装置通过在框架中央配备照相机并直接成像到视网膜上的原理，使得用户能够看到不受眼睛屈光部位（即角膜、晶状体）状况影响的清晰图像。
直接成像技术实际上具有解决视觉问题的真正潜力。近视、远视、散光或老花眼的人有可能无需使用矫正眼镜或隐形眼镜就能看到投射的图像。
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